| يكتب | وصف |
| MFR | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| مسلسل | - |
| طَرد | حجم كبير |
| حالة المنتج | OBSOLETE |
| الحزمة / القضية | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| نوع التركيب | Through Hole |
| نوع الترانزستور | NPN |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى) | 100nA (ICBO) |
| كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| التردد - الانتقال | 120MHz |
| حزمة جهاز المورد | TO-92MOD |
| الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 800 mA |
| الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى) | 120 V |
| أقصى القوة | 900 mW |
ICKU
Room 906, Baoneng Automobile Building, Sungang Street, Luohu District, Shenzhen, Guangdong Province
1968195384@qq.com
86-13826519287
