2SK2544(F) FETs الفردية، MOSFETs

يكتب	وصف
MFR	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل	-
طَرد	حجم كبير
حالة المنتج	OBSOLETE
الحزمة / القضية	TO-220-3
نوع التركيب	Through Hole
درجة حرارة التشغيل	150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	1.25Ohm @ 3A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	80W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	4V @ 1mA
حزمة جهاز المورد	TO-220AB
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±30V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	600 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	30 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	1300 pF @ 10 V