BUK7E3R5-60E,127 FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	NXP Semiconductors
مسلسل	TrenchMOS™
طَرد	حجم كبير
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
نوع التركيب	Through Hole
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	3.5mOhm @ 25A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	293W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	4V @ 1mA
حزمة جهاز المورد	I2PAK
درجة	Automotive
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	60 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	114 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	8920 pF @ 25 V
مؤهل	AEC-Q101