DMTH10H4M5LPSW FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
مسلسل	-
طَرد	الشريط والبكرة (TR)
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	8-PowerTDFN
نوع التركيب	Surface Mount, Wettable Flank
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	20A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	4.9mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	2.5V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	PowerDI5060-8 (Type UX)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	100 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	80 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	4843 pF @ 50 V