| يكتب | وصف |
| MFR | EPC Space |
| مسلسل | eGaN® |
| طَرد | حجم كبير |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | 4-SMD, No Lead |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| إعدادات | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | GaNFET (Gallium Nitride) |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 100V |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 70A (Tc) |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 1700pF @ 50V |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 6.5mOhm @ 70A, 5V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2.5V @ 5mA |
| حزمة جهاز المورد | 4-SMD |
ICKU
Room 906, Baoneng Automobile Building, Sungang Street, Luohu District, Shenzhen, Guangdong Province
1968195384@qq.com
86-13826519287
