MFR | Goford Semiconductor |
مسلسل | TrenchFET® |
طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
حالة المنتج | ACTIVE |
الحزمة / القضية | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
نوع التركيب | Surface Mount |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
نوع فيت | N-Channel |
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 25A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 43W (Tc) |
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 2V @ 250µA |
حزمة جهاز المورد | TO-252 |
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 4.5V, 10V |
في جي إس (الحد الأقصى) | ±20V |
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 40 V |
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 1010 pF @ 20 V |