G3R75MT12K FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	GeneSiC Semiconductor
مسلسل	G3R™
طَرد	أنبوب
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	TO-247-4
نوع التركيب	Through Hole
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا	SiCFET (Silicon Carbide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	90mOhm @ 20A, 15V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	207W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	2.69V @ 7.5mA
حزمة جهاز المورد	TO-247-4
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	15V
في جي إس (الحد الأقصى)	+22V, -10V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	1200 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	54 nC @ 15 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	1560 pF @ 800 V