G60N04K FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	Goford Semiconductor
مسلسل	TrenchFET®
طَرد	الشريط والبكرة (TR)
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	7mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	65W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	2.5V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	TO-252 (DPAK)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	40 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	29 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	1800 pF @ 20 V