| يكتب | وصف |
| MFR | GaNPower |
| مسلسل | - |
| طَرد | الشريط والبكرة (TR) |
| حالة المنتج | ACTIVE |
| الحزمة / القضية | Die |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | GaNFET (Gallium Nitride) |
| نوع فيت | N-Channel |
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية | 10A |
| Vgs(ال) (ماكس) @ معرف | 1.4V @ 3.5mA |
| حزمة جهاز المورد | Die |
| جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق) | 6V |
| في جي إس (الحد الأقصى) | +7.5V, -12V |
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss) | 650 V |
| رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 2.6 nC @ 6 V |
| سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds | 90 pF @ 400 V |
ICKU
Room 906, Baoneng Automobile Building, Sungang Street, Luohu District, Shenzhen, Guangdong Province
1968195384@qq.com
86-13826519287
