IRF830AS FETs الفردية، MOSFETs

المواصفات

PDF1

يكتب	وصف
MFR	Vishay / Siliconix
مسلسل	-
طَرد	أنبوب
حالة المنتج	OBSOLETE
الحزمة / القضية	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	1.4Ohm @ 3A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	4.5V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	TO-263 (D2PAK)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±30V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	500 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	24 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	620 pF @ 25 V