IRFD210 FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	Vishay / Siliconix
مسلسل	-
طَرد	أنبوب
حالة المنتج	OBSOLETE
الحزمة / القضية	4-DIP (0.300", 7.62mm)
نوع التركيب	Through Hole
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	1.5Ohm @ 360mA, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	1W (Ta)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	4V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	4-HVMDIP
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	200 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	8.2 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	140 pF @ 25 V