IV1Q12050T4 FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	Inventchip Technology
مسلسل	-
طَرد	أنبوب
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	TO-247-4
نوع التركيب	Through Hole
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا	SiCFET (Silicon Carbide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	65mOhm @ 20A, 20V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	344W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	3.2V @ 6mA
حزمة جهاز المورد	TO-247-4
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	20V
في جي إس (الحد الأقصى)	+20V, -5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	1200 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	120 nC @ 20 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	2750 pF @ 800 V