IV1Q12160T4 FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	Inventchip Technology
مسلسل	-
طَرد	أنبوب
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	TO-247-4
نوع التركيب	Through Hole
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا	SiCFET (Silicon Carbide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	195mOhm @ 10A, 20V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	138W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	2.9V @ 1.9mA
حزمة جهاز المورد	TO-247-4
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	20V
في جي إس (الحد الأقصى)	+20V, -5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	1200 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	43 nC @ 20 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	885 pF @ 800 V