IXTH75N10 FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	Littelfuse / IXYS RF
مسلسل	MegaMOS™
طَرد	أنبوب
حالة المنتج	NOT_FOR_NEW_DESIGNS
الحزمة / القضية	TO-247-3
نوع التركيب	Through Hole
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	20mOhm @ 37.5A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	300W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	4V @ 4mA
حزمة جهاز المورد	TO-247 (IXTH)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	100 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	260 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	4500 pF @ 25 V