QS1200SCM36 FETs الفردية، MOSFETs

المواصفات

PDF1

يكتب	وصف
MFR	Quest Semi
مسلسل	-
طَرد	أنبوب
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	TO-247-3
نوع التركيب	Through Hole
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 175°C
تكنولوجيا	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	36A
Rds On (Max) @ Id، Vgs	100mOhm @ 20A, 20V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	198W
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	3.8V @ 100µA
حزمة جهاز المورد	PG-TO247-3
درجة	Automotive
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	2.8V
في جي إس (الحد الأقصى)	+25V, -10V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	1200 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	60 nC @ 600 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	1001 pF @ 800 V