TP44110HB
TP44110HB
Part number:
2713-TP44110HB-ND
Product_Category
FET، صفائف MOSFET
الصانع
Tagore Technology
النوع
GANFET 2N-CH 65
تغليف
التعبئة
صينية
RoHS:
NO
الكمية
260
$0.5504
Minimun: 1
multiples: 1
الكمية
الأسعار
موبايل الاتصال
1
$0.5504
$0.5504
10
$0.5504
$5.5040
TP44110HB NEWS
Specifications
PDF1
يكتبوصف
MFRTagore Technology
مسلسل-
طَردصينية
حالة المنتجACTIVE
الحزمة / القضية30-PowerWFQFN
نوع التركيبSurface Mount
إعدادات2 N-Channel (Half Bridge)
درجة حرارة التشغيل-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجياGaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية19A (Tc)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds110pF @ 400V
Rds On (Max) @ Id، Vgs118mOhm @ 500mA, 6V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs3nC @ 6V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف2.5V @ 11mA
حزمة جهاز المورد30-QFN (8x10)
86-13826519287‬
1968195384@qq.com