TPH3206LDG-TR FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	Transphorm
مسلسل	-
طَرد	صينية
حالة المنتج	OBSOLETE
الحزمة / القضية	3-PowerDFN
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا	GaNFET (Gallium Nitride)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	180mOhm @ 11A, 8V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	96W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	2.6V @ 500µA
حزمة جهاز المورد	3-PQFN (8x8)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	8V
في جي إس (الحد الأقصى)	±18V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	600 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	9.3 nC @ 4.5 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	760 pF @ 480 V