XP10NA011J FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	YAGEO XSEMI
مسلسل	XS10NA011
طَرد	أنبوب
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
نوع التركيب	Through Hole
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	48.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	11mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	1.13W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	4V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	TO-251S
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	6V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	100 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	56 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	2288 pF @ 80 V