XP10TN135N FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	YAGEO XSEMI
مسلسل	XP10TN135
طَرد	الشريط والبكرة (TR)
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	135mOhm @ 2A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	1.38W (Ta)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	SOT-23
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	100 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	20 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	980 pF @ 25 V