XP3N9R5AYT FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

PDF1

يكتب	وصف
MFR	YAGEO XSEMI
مسلسل	XP3N9R5A
طَرد	الشريط والبكرة (TR)
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	8-PowerDFN
نوع التركيب	Surface Mount
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	15A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	9.5mOhm @ 9.5A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	3.57W (Ta)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	PMPAK® 3 x 3
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	30 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	28.8 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	1280 pF @ 15 V