XP65AN1K2IT FETs الفردية، MOSFETs

Specifications

يكتب	وصف
MFR	YAGEO XSEMI
مسلسل	XP65AN1K2
طَرد	أنبوب
حالة المنتج	ACTIVE
الحزمة / القضية	TO-220-3 Full Pack
نوع التركيب	Through Hole
درجة حرارة التشغيل	-55°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا	MOSFET (Metal Oxide)
نوع فيت	N-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية	7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs	1.2Ohm @ 3.5A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)	1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف	4V @ 250µA
حزمة جهاز المورد	TO-220CFM
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)	10V
في جي إس (الحد الأقصى)	±30V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)	650 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs	44.8 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds	2048 pF @ 100 V