CGD65A055S2-T07
CGD65A055S2-T07
Part number:
4768-CGD65A055S2-T07TR-ND
Product_Category
シングルFET、MOSFET
メーカー
Cambridge GaN Devices
タイプ
650V GAN HEMT,
パッケージ
包装する
テープ＆リール（TR）
RoHS:
NO
数量
937
$0.7632
Minimun: 1
multiples: 1
数量
価格
総額
1
$1.2048
$1.2048
10
$1.0616
$10.6160
100
$0.9176
$91.7600
500
$0.8320
$416.0000
1000
$0.7632
$763.2000
CGD65A055S2-T07 NEWS
Specifications
タイプ説明
製造元Cambridge GaN Devices
シリーズICeGaN™
パッケージテープ＆リール（TR）
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース16-PowerVDFN
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C27A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs77mOhm @ 2.2A, 12V
FETの特徴Current Sensing
Vgs(th) (最大) @ ID4.2V @ 10mA
サプライヤーデバイスパッケージ16-DFN (8x8)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)12V
Vgs (最大)+20V, -1V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs6 nC @ 12 V
86-13826519287‬
1968195384@qq.com