CGD65B200S2-T13
CGD65B200S2-T13
Part number:
4768-CGD65B200S2-T13TR-ND
Product_Category
シングルFET、MOSFET
メーカー
Cambridge GaN Devices
タイプ
650V GAN HEMT,
パッケージ
包装する
テープ＆リール（TR）
RoHS:
NO
数量
4555
$0.3640
Minimun: 1
multiples: 1
数量
価格
総額
1
$0.3640
$0.3640
10
$0.3056
$3.0560
100
$0.2472
$24.7200
500
$0.2200
$110.0000
1000
$0.1880
$188.0000
2000
$0.1768
$353.6000
5000
$0.1704
$852.0000
CGD65B200S2-T13 NEWS
Specifications
PDF1
タイプ説明
製造元Cambridge GaN Devices
シリーズICeGaN™
パッケージテープ＆リール（TR）
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース8-PowerVDFN
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C8.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs280mOhm @ 600mA, 12V
FETの特徴Current Sensing
Vgs(th) (最大) @ ID4.2V @ 2.75mA
サプライヤーデバイスパッケージ8-DFN (5x6)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)9V, 20V
Vgs (最大)+20V, -1V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs1.4 nC @ 12 V
86-13826519287‬
1968195384@qq.com