FBG04N08ASH
FBG04N08ASH
Part number:
4107-FBG04N08ASH-ND
Product_Category
シングルFET、MOSFET
メーカー
EPC Space
タイプ
GAN FET HEMT 40
パッケージ
包装する
バルク
RoHS:
YES
数量
200
$31.4200
Minimun: 1
multiples: 1
数量
価格
総額
1
$31.4200
$31.4200
10
$30.2392
$302.3920
FBG04N08ASH NEWS
Specifications
PDF1
タイプ説明
製造元EPC Space
シリーズe-GaN®
パッケージバルク
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース4-SMD, No Lead
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C8A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID2.5V @ 2mA
サプライヤーデバイスパッケージ4-SMD
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)5V
Vgs (最大)+6V, -4V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)40 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs2.8 nC @ 5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds312 pF @ 20 V
86-13826519287‬
1968195384@qq.com