ICE60N199
ICE60N199
Part number:
5133-ICE60N199-ND
Product_Category
シングルFET、MOSFET
メーカー
IceMOS Technology
タイプ
Superjunction M
パッケージ
包装する
チューブ
RoHS:
YES
数量
300
$0.2008
Minimun: 1
multiples: 1
数量
価格
総額
50
$0.2008
$10.0400
1000
$0.1880
$188.0000
5000
$0.1720
$860.0000
15000
$0.1584
$2,376.0000
25000
$0.1472
$3,680.0000
ICE60N199 NEWS
Specifications
PDF1
タイプ説明
製造元IceMOS Technology
シリーズ-
パッケージチューブ
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースTO-220-3
取付タイプThrough Hole
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs199mOhm @ 10A, 10V
消費電力(最大)180W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID3.9V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージTO-220
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Vgs (最大)±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)600 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs64 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1890 pF @ 25 V
86-13826519287‬