TP65H070LSG-TR
TP65H070LSG-TR
Part number:
1707-TP65H070LSG-TR-ND
Product_Category
シングルFET、MOSFET
メーカー
Transphorm
タイプ
GANFET N-CH 650
パッケージ
包装する
テープ&リール(TR)
RoHS:
NO
数量
12535
$0.5952
Minimun: 1
multiples: 1
数量
価格
総額
1
$0.7096
$0.7096
10
$0.6256
$6.2560
100
$0.5952
$59.5200
500
$0.5952
$297.6000
TP65H070LSG-TR NEWS
Specifications
PDF1
タイプ説明
製造元Transphorm
シリーズTP65H070L
パッケージテープ&リール(TR)
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース3-PowerDFN
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプN-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C25A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
消費電力(最大)96W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID4.8V @ 700µA
サプライヤーデバイスパッケージ3-PQFN (8x8)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Vgs (最大)±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds600 pF @ 400 V
86-13826519287‬