TPD3215M
TPD3215M
Part number:
TPD3215M-ND
Product_Category
FET、MOSFETアレイ
メーカー
Transphorm
タイプ
GANFET 2N-CH 60
パッケージ
包装する
バルク
RoHS:
YES
数量
200
Minimun: 1
multiples: 1
数量
価格
総額
TPD3215M NEWS
Specifications
PDF1
PDF2
タイプ説明
製造元Transphorm
シリーズ-
パッケージバルク
製品の状態OBSOLETE
パッケージ・ケースModule
取付タイプThrough Hole
構成2 N-Channel (Half Bridge)
動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
パワー - 最大470W
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C70A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds2260pF @ 100V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs34mOhm @ 30A, 8V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs28nC @ 8V
サプライヤーデバイスパッケージModule
86-13826519287‬
1968195384@qq.com